Semi-conducteurs. Page 323 sur 485. Avtronic

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Semi-conducteurs

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Circuits intégrés divers

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Circuits logiques série 4000

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Supports de circuits intégrés

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Transistors

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Triacs et diacs

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10167 articles disponibles

Affichage 21 articles: S-8423NFS à S5D2509X15-SO (Page 323 sur 485)

Circuit intégré S-8423NFS

21.50€ TTC

12 En stock

Circuit intégré S-8423NFS. Battery Backup Ic

Tarifs dégressifs

Diode S16C40C

2.41€ TTC

517 En stock

Double diode de redressement Schottky 40V. Courant maxi: 2x8A. Tension de seuil: 0.55V. Boîtier: TO-220AB (cathode commune).

Tarifs dégressifs

Diode S1M

0.22€ TTC

471 En stock

Diode CMS S1M 1000V 1A/30Ap<1.8us Ct:12pF. Boîtier: DO-214AC (SMA):4.6x2.7mm. General Porpose Rectifiers. Constructeur: TSC. 30App/10ms. Marquage CMS:1M.

Quantité minimum: 10

Tarifs dégressifs

Diode S1M-FAI

0.39€ TTC

6435 En stock

Diode CMS S1M-FAI 1000V 1A/30Ap<1.8us Ct:12pF. Boîtier: DO-214AC (SMA):4.6x2.7mm. General Porpose Rectifiers. Constructeur: Fairchild Semiconductor. 30App/10ms. Marquage CMS:1M.

Quantité minimum: 10

Tarifs dégressifs

Pont redresseur S1WB60B

27.44€ TTC

7 En stock

Pont de redressement à diodes. Tension inverse maxi: 600V. Courant maxi: 1A. Pas: 7.62mm. Montage CMS.

Tarifs dégressifs

Pont redresseur S1WB80B

4.03€ TTC

60 En stock

Pont de redressement à diodes. Tension inverse maxi: 800V. Courant maxi: 1A. Pas: 7.62mm. Montage CMS.

Tarifs dégressifs

Pont redresseur S1WBS60

6.05€ TTC

33 En stock

Pont de diodes. Pont de redressement. Tension maxi: 600V. Courant de sortie maxi: 1A

Tarifs dégressifs

Transistor S2000A

5.94€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor NPN S2000A 1500V 8A 125W 0.7uS TV/HA. Vce maxi: 1500 V. Courant de collecteur maxi: 8 A. Constructeur: TOS. Puissance: 125 W

Tarifs dégressifs

Transistor S2000N-TOS

6.72€ TTC

3 En stock

Transistor NPN S2000N-TOS 1500V 8A 50W 0.7uS. Vce maxi: 1500 V. Courant de collecteur maxi: 8 A. Boîtier: TO-247F. Constructeur: TOS. isolé. Puissance: 50 W

Tarifs dégressifs

Transistor S2055N-TOS

6.61€ TTC

19 En stock

Transistor NPN S2055N-TOS (+diode)1500V 8A 50W SMPS. Vce maxi: 1500 V. Courant de collecteur maxi: 8 A. Boîtier: TO-247F. S2055AF. Constructeur: TOS. Diode de protection collecteur/émetteur intégrée. Puissance: 50 W

Tarifs dégressifs

Circuit intégré S2911

11.09€ TTC

4 En stock

Circuit intégré S2911. MEMORY R01056. Boîtier: 8p. Constructeur: TOSHIBA.

Tarifs dégressifs

Mémoire FLASH S29GL512P11FFI02

31.58€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Mémoire FLASH S29GL512P11FFI02. 512Mbit 110ns. Tension d'alimentation: 2.7V - 3.6V. BGA. Constructeur: Spansion. Code constructeur: S29GL512P11FFI020. Boîtier: BGA LAA064 (11x13mm). Courant d'alimentation: 110mA. Plage de température de fonctionnement: -40°C à +85°C.

Tarifs dégressifs

Diode S2L20U

8.90€ TTC

20 En stock

Diode silicium 200V 1.5A. Trr: 35ns

Tarifs dégressifs

Circuit intégré S3500A2

39.26€ TTC

1 En stock

Circuit intégré S3500A2. CLOCK CONTROL. Boîtier: SO-14. NV-M25. Constructeur: TOSHIBA.

Tarifs dégressifs

Thyristor S3900S

14.06€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Thyristor S3900S (diode protection intégrée) 700V. Courant maxi: 5A.

Tarifs dégressifs

Diode S399D

1.23€ TTC

61 En stock

Diode silicium 1500V 3A. Trr: 20us. Boîtier SOD64 Glass. 4.2x4.3mm.

Tarifs dégressifs

Diode CMS S3MB-13-F

2.69€ TTC

211 En stock

Diode CMS 1000V 3A/100Ap

Tarifs dégressifs

Circuit référence de tension S431Z

1.79€ TTC

23 En stock

Circuit référence de tension S431Z. Tension de référence: 2.5V - 36V. Courant de sortie maxi: 1mA - 100mA. Tolérance: 2%. Boîtier: TO92. Constructeur: SAMSUNG.

Tarifs dégressifs

Circuit intégré S5D2501E12-DO

27.33€ TTC

1 En stock

Circuit intégré S5D2501E12-DO. OSD PROC. Boîtier: 24p. Constructeur: SAMSUNG.

Tarifs dégressifs

Circuit intégré S5D2509X09-SO

27.78€ TTC

2 En stock

Circuit intégré S5D2509X09-SO. OSD PROC. Boîtier: SMD 24p. Constructeur: SAMSUNG.

Tarifs dégressifs

Circuit intégré S5D2509X15-SO

30.63€ TTC

1 En stock

Circuit intégré S5D2509X15-SO. OSD PROC. Boîtier: SMD 24p. 1204-001994. Constructeur: SAMSUNG.

Tarifs dégressifs

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Circuit intégré S-8423NFS

Circuit intégré S-8423NFS. Battery Backup Ic

Diode S16C40C

Double diode de redressement Schottky 40V. Courant maxi: 2x8A. Tension de seuil: 0.55V. Boîtier: TO-220AB (cathode commune).

Diode S1M

Diode CMS S1M 1000V 1A/30Ap<1.8us Ct:12pF. Boîtier: DO-214AC (SMA):4.6x2.7mm. General Porpose Rectifiers. Constructeur: TSC. 30App/10ms. Marquage CMS:1M.

Diode S1M-FAI

Diode CMS S1M-FAI 1000V 1A/30Ap<1.8us Ct:12pF. Boîtier: DO-214AC (SMA):4.6x2.7mm. General Porpose Rectifiers. Constructeur: Fairchild Semiconductor. 30App/10ms. Marquage CMS:1M.

Pont redresseur S1WB60B

Pont de redressement à diodes. Tension inverse maxi: 600V. Courant maxi: 1A. Pas: 7.62mm. Montage CMS.

Pont redresseur S1WB80B

Pont de redressement à diodes. Tension inverse maxi: 800V. Courant maxi: 1A. Pas: 7.62mm. Montage CMS.

Pont redresseur S1WBS60

Pont de diodes. Pont de redressement. Tension maxi: 600V. Courant de sortie maxi: 1A

Transistor S2000A

Transistor NPN S2000A 1500V 8A 125W 0.7uS TV/HA. Vce maxi: 1500 V. Courant de collecteur maxi: 8 A. Constructeur: TOS. Puissance: 125 W

Transistor S2000N-TOS

Transistor NPN S2000N-TOS 1500V 8A 50W 0.7uS. Vce maxi: 1500 V. Courant de collecteur maxi: 8 A. Boîtier: TO-247F. Constructeur: TOS. isolé. Puissance: 50 W

Transistor S2055N-TOS

Transistor NPN S2055N-TOS (+diode)1500V 8A 50W SMPS. Vce maxi: 1500 V. Courant de collecteur maxi: 8 A. Boîtier: TO-247F. S2055AF. Constructeur: TOS. Diode de protection collecteur/émetteur intégrée. Puissance: 50 W

Circuit intégré S2911

Circuit intégré S2911. MEMORY R01056. Boîtier: 8p. Constructeur: TOSHIBA.

Mémoire FLASH S29GL512P11FFI02

Mémoire FLASH S29GL512P11FFI02. 512Mbit 110ns. Tension d'alimentation: 2.7V - 3.6V. BGA. Constructeur: Spansion. Code constructeur: S29GL512P11FFI020. Boîtier: BGA LAA064 (11x13mm). Courant d'alimentation: 110mA. Plage de température de fonctionnement: -40°C à +85°C.

Diode S2L20U

Diode silicium 200V 1.5A. Trr: 35ns

Circuit intégré S3500A2

Circuit intégré S3500A2. CLOCK CONTROL. Boîtier: SO-14. NV-M25. Constructeur: TOSHIBA.

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Thyristor S3900S (diode protection intégrée) 700V. Courant maxi: 5A.

Diode S399D

Diode silicium 1500V 3A. Trr: 20us. Boîtier SOD64 Glass. 4.2x4.3mm.

Diode CMS S3MB-13-F

Diode CMS 1000V 3A/100Ap

Circuit référence de tension S431Z

Circuit référence de tension S431Z. Tension de référence: 2.5V - 36V. Courant de sortie maxi: 1mA - 100mA. Tolérance: 2%. Boîtier: TO92. Constructeur: SAMSUNG.

Circuit intégré S5D2501E12-DO

Circuit intégré S5D2501E12-DO. OSD PROC. Boîtier: 24p. Constructeur: SAMSUNG.

Circuit intégré S5D2509X09-SO

Circuit intégré S5D2509X09-SO. OSD PROC. Boîtier: SMD 24p. Constructeur: SAMSUNG.

Circuit intégré S5D2509X15-SO

Circuit intégré S5D2509X15-SO. OSD PROC. Boîtier: SMD 24p. 1204-001994. Constructeur: SAMSUNG.

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